131 1300 0010
200/400V系列
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    • RY4N12S3
    RY4N12S3
    RY4N12S3
    發(fā)布者：日月辰科技
    規(guī)格型號(hào)
    		 RY4N12S3
    產(chǎn)品參數(shù)
    		 電壓：12V，電流：4A，Vgs：12V，Rds：45Ω
    產(chǎn)品品牌
    		 日月辰
    產(chǎn)品封裝
    		 SOT-23
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    詳細(xì)說明

    RY4N12S3 SOT-23

    Description
    This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on)
    with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
    Features
    1) VDS=20V,ID=4A,RDS(ON)<45mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)<59mΩ@VGS=2.5V.
    2) Low gate charge.
    3) Green device available.
    4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).
    5) Excellent package for good heat dissipation.

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